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  1. 室蘭工業大学紀要
  2. 第34号 - 理工編

半導体電極を用いた水の光電気分解の研究

http://hdl.handle.net/10258/1096
http://hdl.handle.net/10258/1096
367fe29c-1e2c-467f-9398-c84509caddb6
名前 / ファイル ライセンス アクション
kiyo34_rikou_pp195-201.pdf kiyo34_rikou_pp195-201.pdf (591.6 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2014-03-04
タイトル
タイトル 半導体電極を用いた水の光電気分解の研究
言語 ja
タイトル
タイトル Investigation of Photoelectrolysis of Water with Semiconductor Electrodes
言語 en
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
著者 尾崎, 正義

× 尾崎, 正義

ja 尾崎, 正義

en OZAKI, Masayoshi

ja-Kana オザキ, マサヨシ


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小野, 正寛

× 小野, 正寛

ja 小野, 正寛

en ONO, Masahiro

ja-Kana オノ, マサヒロ


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小林, 秀寿

× 小林, 秀寿

ja 小林, 秀寿

en KOBAYASHI, Hidetoshi

ja-Kana コバヤシ, ヒデトシ


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南條, 淳二

× 南條, 淳二

ja 南條, 淳二

en NANJO, Junji

ja-Kana ナンジョウ, ジュンジ


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野村, 滋

× 野村, 滋

ja 野村, 滋

en NOMURA, Shigeru

ja-Kana ノムラ, シゲル


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原, 進一

× 原, 進一

ja 原, 進一

en HARA, Shin-ichi

ja-Kana ハラ, シンイチ


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Photoelectrolysis of water with two types of semiconductor electrodes which are the Cr-doped single crystal TiO_2, and the Si/TiO_2, heterojunction has been investigated. The Photoresponse of Cr-doped TiO_2, electrode showed longer wave length (visible light region) spectral response than that of non-doped TiO_2, electrode. The visible light response is explained by the formation of the d-band due to Cr-doping below the conduction band edge of the TiO_2, in energy diagram. Photocurrent of Cr-doped TiO_2, electrode, however, decreased. This decrease is mainly due to the structural defects induced in the single crystal TiO_2 by high temperature treatment of Cr-doping resulted in localized deep levels in forbidden band. These deep levels enhance the recombination rate of the photo-generated carriers. The electrode of n-Si/TiO_2, heterojunction was fabricated by coating the Si substrate surface with TiO_2, thin film using CVD technique. The thickness of TiO_2 film determines of the onset potential of photocurrent. The onset potential were shifted to negative potential side with decreasing the TiO_2 film thickness.
言語 en
書誌情報 ja : 室蘭工業大学研究報告. 理工編
en : Memoirs of the Muroran Institute of Technology. Science and engineering

巻 34, p. 195-201, 発行日 1984-11-30
出版者
出版者 室蘭工業大学
言語 ja
論文ID(NAID)
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ NAID
関連識別子 40003627607
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 431.75
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 05802415
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN00238225
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
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Ver.1 2023-06-19 12:36:40.093692
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