WEKO3
アイテム
白金ナノ粒子を用いた電界効果トランジスタ型センサの水素応答特性
http://hdl.handle.net/10258/00010173
http://hdl.handle.net/10258/0001017355272cee-e093-419b-9b05-e57e59cb394c
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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69_77 (1.3 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-03-23 | |||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||
| タイトル | 白金ナノ粒子を用いた電界効果トランジスタ型センサの水素応答特性 | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||
| タイトル | Response to Hydrogen in Field-effect Transistor Sensor with Platinum Nanoparticles | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | Gas sensor | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) | |||||||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||
| 主題 | Platinum particle | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||||||||||||||
| 著者 |
福田, 永
× 福田, 永
× 夛田, 芳広
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| 室蘭工業大学研究者データベースへのリンク | ||||||||||||||||||||||
| 福田 永（FUKUDA Hisashi） | ||||||||||||||||||||||
| http://rdsoran.muroran-it.ac.jp/html/100000255_ja.html | ||||||||||||||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||||||
| 内容記述 | A novel device based on nanometer size platinum (Pt) on the gate electrode of metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET) for detecting hydrogen (H2) gas was fabricated. The operation characteristics of the device for the detection of H2 gas presents as a function of H2 gas concentration. The drain current in the output characteristics of the MOSFET increased rapidly depending on the H2 gas concentration. It was possible to detect 1,000 ppm for H2 gas at room temperature. A model was proposed to explain the operation. The sensing mechanism of the device is supported well by the experimental data. | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
ja : 室蘭工業大学紀要 en : Memoirs of the Muroran Institute of Technology 巻 69, p. 77-83, 発行日 2020-03-19 |
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| 注記 | ||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 学術論文 | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||||||
| 出版者 | 室蘭工業大学 | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
| 日本十進分類法 | ||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||||||||||||||
| 主題 | 549 | |||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 13442708 | |||||||||||||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA11912609 | |||||||||||||||||||||
| 権利 | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
| 権利情報 | © copyright 2020 室蘭工業大学 | |||||||||||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||
| フォーマット | ||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||||||||||||||
