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  1. 研究者名(五十音順)
  2. 転出・退職・特任研究者(2016-)
  3. 平井 伸治(HIRAI Shinji)
  1. 学術雑誌論文

Thermoelectric properties of lanthanum sesquisulfide with Ti additive

http://hdl.handle.net/10258/221
http://hdl.handle.net/10258/221
21e6071b-e359-44c0-a509-d9c83ff25773
名前 / ファイル ライセンス アクション
APL87pp042106.pdf APL87pp042106.pdf (251.6 kB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 / Journal Article.(1)
公開日 2007-08-28
書誌情報 en : Applied Physics Letters

巻 87, 号 4, p. 42106-1-42106-3, 発行日 2005-07-25
タイトル
タイトル Thermoelectric properties of lanthanum sesquisulfide with Ti additive
言語 en
言語
言語 eng
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 anderson model
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 degenerate semiconductors
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 electrical resistivity
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 lanthanum conpounds
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 thermal conductivity
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 thermoelectric power
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 titanium
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
著者 OHTA, Michihiro

× OHTA, Michihiro

en OHTA, Michihiro

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平井, 伸治

× 平井, 伸治

ja 平井, 伸治

en HIRAI, Shinji

ja-Kana ヒライ, シンジ


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KATO, Hisanaga

× KATO, Hisanaga

en KATO, Hisanaga

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NISHIMURA, Toshiyuki

× NISHIMURA, Toshiyuki

en NISHIMURA, Toshiyuki

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UEMURA, Yoichiro

× UEMURA, Yoichiro

en UEMURA, Yoichiro

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室蘭工業大学研究者データベースへのリンク
表示名 平井 伸治(HIRAI Shinji)
URL http://rdsoran.muroran-it.ac.jp/html/100000177_ja.html
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The electrical resistivity, thermopower, and thermal conductivity have been measured for the lanthanum sesquisulfide (La2S3) of which the crystal phase is controlled by the Ti additive. In all the samples, the thermopower is negative between 300 and 1000 K. The sample with 8 wt % Ti, which consists almost of the cubic γ phase, behaves as a degenerate semiconductor. The thermoelectric figure of merit ZT increases with increasing temperature, reaching a value of 0.21 at 1000 K. In contrast, the sample with 2 wt % Ti consists almost of the tetragonal β phase. The transport mechanism can be well explained by the model of the Anderson localization. The ZT value increases abruptly with increasing temperature. At 1000 K, this ZT value is comparable with that of the sample with 8 wt % Ti.
言語 en
出版者
出版者 American Institute of Physics
言語 en
出版者版へのリンク
表示名 10.1063/1.1999845
URL https://doi.org/10.1063/1.1999845
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1063/1.1999845
論文ID(NAID)
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ NAID
関連識別子 120000802054
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 427.4
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 00036951
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 10773118
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543431
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11868096
権利
権利情報 Copyright (c) 2005 American Institute of Physics
言語 en
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
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Ver.1 2023-06-19 12:18:43.615763
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